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...ンプリング周期 500ms 絶縁抵抗 20MΩ以上(500VDC メガにて) 耐電圧 AC600V 50 または 60Hz 1min(異極充電部端子) 耐振動 10～55Hz 10m/s2 3 軸方向 2h 耐衝撃最大 150m/s2 3 軸 6 方向各 3 回温度調節器 IP00 保護構造ターミナルユニット IP00 メモリ保護 EEPROM(不揮発性メモリ)(書込回...
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...DC24V（RS485 通信回路部/温度調節器用） DC11∼25V DC20.4V∼26.4V 45mA 以下（DC24V DeviceNet 通信ユニット単体の消費電流） 20mA 以下（DC24V）*1 10∼55Hz 10m/s2 3 軸方向 2h 最大 150m/s2 3 軸 6 方向各 3 回 AC500V 50/60Hz 1min DIN レール⇔端子台（DeviceNet 用コネクタ）一括 DIN レール⇔端子（ターミナルソケット）一括 20MΩ...
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...グ周期 50ms 絶縁抵抗 20MΩ 以上 (500VDC メガにて ) 耐電圧 AC2000V 50/60Hz 1min( 異極充電部端子 ) 耐振動 振動数：10 ∼ 55Hz 加速度：20m/s2 耐衝撃 150m/s2 （ただし、リレー接点については 100m/s2） 3 軸、6 方向、各 3 回 突入電流 AC100 ∼ 240V タイプ 50A 以下、AC/DC24V タイプ 30A 以下 質量 形 E5AR 約 450g（本体の...
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.../s 耐衝撃耐電圧絶縁抵抗使用周囲温度使用周囲湿度使用保存周囲温度保護構造メモリ保護質量 1-6 最大 150m/s2 3 軸 6 方向各 3 回 AC2,000V 20MΩ以上（DC500V メガにて） －10～55℃（ただし、結露・氷結なきこと）／3 年保証時：-10～50℃ 25～85％ RH －25～65℃（ただし、結露・氷結な...
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...） -1999～9999 （小数点位置は小数点位置 B よる） 250ms 20MΩ 以上（500VDC メガにて） AC600V 50 または 60Hz 1min（異極充電部端子間） 10～55Hz 20m/s2 3 軸方向 2h 最大 150m/ s2 3 軸 6 方向各 3 回リアケース：IP20 ケース： 端子部：IP00 IP20 EEPROM（不揮発性メモリ）（書込回数：10 万回） 180g 160g 70g ※3 W ：（指示値の±...
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...入力種別および小数点位置設定による） 50ms 20MΩ以上（500VDC メガにて） AC2000V 50/60Hz 1min（異極充電部端子） 振動数：10～55Hz 加速度：20m/s2 150m/s2 （ただし、リレー接点については 100m/s2） 3 軸、6 方向、各 3 回 AC100～240V タイプ 50A 以下、 AC/DC24V タイプ 30A 以下形 E5AR 約 450g（本体のみ）、取り付け...
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...絶縁抵抗使用周囲温度使用周囲湿度使用保存周囲温度保護構造寸法メモリ保護質量電磁環境 45mA 以下（DC24V） 10∼55Hz 10m/s2 3 軸方向 2h 最大 150m/s2 3 軸 6 方向各 3 回 AC600V 50/60Hz 1min 20MΩ以上（DC500V メガにて） −10∼55℃（ただし、結露・氷結なきこと） 相対湿度 25∼85％ −25∼65℃（た...
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...位置は入力種別による） 250ms 20MΩ 以上 （DC500V メガにて） AC2300V 50 または 60Hz 1min （異極充電部端子） 10～55Hz 20ｍ/S² 3 軸方向 10min 10～55Hz 20m/s2 3 軸方向 2h 100m/S² 3 軸方向 各 3 回 300m/S² 3 軸方向 各 3 回 仕様 形 E5CN 形 E5CN-U 形 E5AN 形 E5EN 形 E5GN 形 E5CN 形 E5AN 形 E5EN 形 E5GN 形 E5CN-U 質量 保護構造 メ...
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...位置は入力種別による） 60ms 20MΩ 以上 （DC500V メガにて） AC2300V 50 または 60Hz 1min （異極充電部端子） 10～55Hz 20ｍ/S² 3 軸方向 10min 10～55Hz 20m/ｓ2 3 軸方向 2h 100m/S² 3 軸方向 各 3 回 300m/S² 3 軸方向 各 3 回約 150g 取り付け具：約 10g 端子カバー：約 10g 約 310g 端子カバー約 1.6g 取り付け具：...
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...ルス幅：1μs/100ns 10∼55Hz X,Y,Z各方向10分(誤動作)、2h(耐久) 片振幅0.5mm(誤動作)、0.75mm(耐久) 耐振動 X,Y,Z 6各方向 各3回 98m/s2｛10G｝誤動作、294m/s2｛30G｝耐久耐衝撃使用周囲温度 -10∼+55℃ 25∼85％RH 使用周囲湿度腐食性ガスがないこと使用周囲雰囲気 -20∼+65℃ 保存周囲...
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...モンモード±1500V AC/DC24V タイプ：電源端子ノーマル±480V コモン±1500V （立上り 1ns の方形波 パルス幅 1μs/100ns） 振動数：10～55Hz 加速度：50m/s2 X,Y,Z 各方向 5min×10 掃引 150m/s2 (ただしリレー接点は 100m/...
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...未発生発生 9 異常フラグ 8 7 6 5 4 3 2 1 0 ビット位置 0 電流入力オーバー （E-S2） 未発生発生 ビット情報電圧入力オーバー （E-S1） 未発生発生 時計異常 （E-T1） メモリ異常（3） （E-M3） メモリ異常（2） （E-M2） メモリ異常（1） （E-M1） 未発生発生 未発生発...
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...線検出時 赤点滅 ① 電源端子一括 ② リレー出力端子一括 ③ ①②を除く端子一括絶縁抵抗と同じ箇所振動数 10～55Hz 加速度 50m/s2 片振幅 0．35mm 5 分/掃引 10 掃引 3 方向 130m/s2 上下左右前後 6 方向 1a 接点×2 出力 3A AC250V/DC30V 3A AC250V/DC30V 1A AC250V/DC30V 機械的 2，000 万回電気的 8 ...
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...０ １ 0 0 電圧入力不足未発生発生 0 異常フラグ 9 8 7 0 0 0 電流入力ｵｰﾊﾞｰ (E-S2) 未発生発生 6 電圧入力ｵｰﾊﾞｰ (E-S1) 未発生発生 5 4 3 2 1 0 0 0 ビット情報 ― ― ― 0 ビット位置 ― ― メモリ異常(1) (E-M1) ― ― ― ― 未発生発生 20 ■パラメータエリア（設...
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...出力一括間 CTD8E ：電流入力一括とリレー出力一括間 ZCT8E ：漏電入力一括とリレー出力一括間片振幅 0.35mm、加速度 50m/s2 振動数 10～55Hz、3 軸方向各 5min/1 回×10 回 掃引 耐電圧 振動耐性耐衝撃 150m／s2 質量 約 230ｇ メモリ保護 EEPROM(不揮発性メモリ) 書込回数：100 万回...
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...容電圧範囲 定格電源電圧の 85～110% 消費電力(最大負荷時) 10VA 以下 消費電流(DeviceNet 電源) 45mA 以下(DC24V) 耐振動 10～55Hz 10m/s2 3 軸方向 2h 耐衝撃耐電圧 片振幅 0.35mm 加速度 50m/s2 振動数 10～55Hz 3 軸方向各 5min/1 回×10 回 掃引 2000V 1 分間 全端子一括とケース間電源一括...
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...MIDDLE 状態 1 05 動作モード 17 HIGH 状態 1 06 電圧入力オーバ(E-S1) 18 LOW 状態 2 07 電流入力オーバ(E-S2) 19 MIDDLE 状態 2 08 電圧入力不足 1A HIGH 状態 2 09 周波数入力異常(E-S3) 1B 空き 0A 入力 1 1C 警報 1 0B 入力 2 1D 警報 2 0C 入力 3 1E 空き 0D 入力 4 1F 空き...
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... (DC24V -15 %+10%) DC20.4 ~ 26.4V (DC24V -15 %+10%) DC24V 15mA DC24V 230mA（形 NE1A-SCPU01-EIP は 280mA） DC24V 40mA（入力用), 120mA（出力用） II IEC61131-2 準拠 10~ 57Hz: 0.35 mm, 57~ 150Hz: 50 m/s2 150m/...
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... （DC20.4 ~ 26.4V -15 % +10%） 400mA（V1：300mA, V2：100mA）（N10S） 500mA（V1：300mA, V2：200mA）（N10D） 500mA（V1：400mA, V2：100mA）（N20S） ClassⅢ（SELV） II IEC61131-2 準拠 5~ 8.4Hz: 3.5 mm, 8.4~ 150Hz: 9.8 m/...
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...4−1−1 一般仕様項目 バッテリパック 形 RB-B2001A 0∼45℃ -10∼60℃ 20∼90％RH 結露がないこと 5∼8.4Hz： 3.5mm, 8.4∼150Hz： 9.8m/s2 196m/s2： 11ms 0.36kg 以下（バッテリパック非装着時） IP50 相当 ※メモリカードカバー、コネクタキャップ（またはハーネス）を取付けた状態にて 電源...