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全文検索:全 44246 件が検索されました。(2301 - 2320件を表示)
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K8DS-PU 三相不足電圧+逆相欠相リレー/定格/性能 | オムロン制御機器
...ン/ノーマル 立ち上がり1ns方形波 正負 パルス幅1μs/100ns 耐振動 振動数10~55Hz 片振幅0.35mm X、Y、Z各方向 : 5min×10掃引 耐衝撃 100m/s 2 、 3軸6方向3回 保護構造 端子部 : IP20 形K8DS-PUを2台以上取りつけ時の間隔と周囲温度の関係(参考値) 取りつけ間隔と周...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3383/specification.html

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K8AK-PA 三相不平衡+逆相欠相リレー/定格/性能 | オムロン制御機器
...ン/ノーマル 立ち上がり1ns方形波 正負 パルス幅1μs/100ns 耐振動 振動数10~55Hz 片振幅0.35mm X、Y、Z各方向 : 5min×10掃引 耐衝撃 100m/s 2 、 3軸6方向3回 保護構造 端子部 : IP20 形K8AK-PAを2台以上取りつけ時の間隔と周囲温度の関係(参考値) 取りつけ間隔と周...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3384/specification.html

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G3VM-21UR□ MOS FETリレー VSON 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)/...
...大 1 nA V OFF =20V 端子間容量 C OFF 標準 0.8 5 40 pF V=0、f=100MHz、t<1s 最大 1.1 12 — 入出力間容量 C I-O 標準 1 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間容量絶縁抵抗 R I-O 標準 10 8 MΩ V I-O =500VDC、RoH≦60% 動作時間 t ON 標準 0.05 0.17 — ms I F =5mA、R L =200Ω、 V DD =10V * 最大 0.2 0....

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3391/specification.html

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M3U プラトーヘッド 表示灯/定格/性能 | オムロン制御機器
... 5V 15mA DC 5V±5% DC12V DC12V±5% DC24V DC24V±5% 性能 種類 表示灯 振動 誤動作 10~55Hz 複振幅1.5mm (誤動作1ms以内) 衝撃 誤動作 最大300m/s 2 (誤動作1ms以内) コネクタロック強度 最大40N 質量 約30g 保護構造 IP40、IP65(耐油形) 使用周囲温度 -20~+55℃ (ただし、氷結、結露のないこと) 使用...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3415/specification.html

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G3VM-□AY□ / □DY□ MOS FETリレー DIP4ピン 小型&高絶縁タイプ/定格/性能...
... 1 μA V OFF =負荷電圧定格値 端子間容量 C OFF 標準 300 130 90 30 80 75 pF V=0、f=1MHz 入出力間容量 C I-O 標準 0.8 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間容量絶縁抵抗 R I-O 最小 1000 MΩ V I-O =500VDC、RoH≦60% 標準 10 8 動作時間 t ON 標準 2.8 1 0.3 0.6 0.5 ms 形G3VM-41AY1/DY1 : ...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3416/specification.html

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G3VM-21PR□ MOS FETリレー USOP 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)/...
... 1 nA V OFF =20V 端子間容量 C OFF 標準 0.8 5 40 pF V=0、f=100MHz、t<1s 最大 1.1 12 - 入出力間容量 C I-O 標準 0.4 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間容量絶縁抵抗 R I-O 最小 1000 MΩ V I-O =500VDC、R O H≦60% 標準 10 8 動作時間 t ON 標準 0.04 0.2 0.5 ms I F =5mA、R L =200Ω、 ...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3417/specification.html

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G3VM-61PR□ / 71PR / 81PR / 101PR MOS FETリレー USOP 小...
... 6 pF 形G3VM-61PR : V=0、f=1MHz、t<1s その他 : V=0、f=100MHz、t<1s 最大 1.3 30 ― 7 8 入出力間容量 C I-O 標準 0.4 0.3 0.4 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間容量絶縁抵抗 R I-O 最小 1000 MΩ V I-O =500VDC、R O H≦60% 標準 10 8 動作時間 t ON 標準 0.04 0.3 0.4 0.14 0.12 ms I ...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3421/specification.html

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G3VM-41UR□ / 51UR MOS FETリレー VSON 低端子間容量&低オン抵抗タイプ ...
... 0.45 0.7 5 12 pF G3VM-41UR12/41UR10/41UR11/51UR: V=0V、f=100MHz、t<1s G3VM-41UR4: V=0V、f=1MHz 最大 0.6 0.8 1.3 7 20 入出力間容量 C I-O 標準 1 pF V S =0V、f=1MHz 入出力間容量絶縁抵抗 R I-O 標準 10 8 MΩ V I-O =500VDC、R O H≦60% 動作時間 t ON 標準 0.05 ― 0.06 0.08 ― ms I F =5mA、R L =200Ω、 ...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3427/specification.html

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WLF5-F 小形耐圧防爆形リミットスイッチ/定格/性能 | オムロン制御機器生産終了品
...造 JIS規格の防浸形、IEC規格のIP67 寿命 * 機械的 1,000万回以上 電気的 50万回以上(AC125V、1A抵抗負荷にて) 許容操作速度 1mm/s~1m/s 許容操作ひん度 機械的 120回/min 電気的 10回/min 絶縁抵抗 各端子とアース間にて100MΩ以上(DC500Vメガにて) 耐電圧 (50/60Hz 1min ) 同極端...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/343/specification.html

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3Z4S-LE VS-TCHシリーズ Cマウントカメラ用高解像度テレセントリックレンズ/形式/種類 ...
... 形式 光学倍率 (±5%) WD*1 (mm) 有効F値 被写界 深度*2 (mm) 分解能 *3 (μm) TV ディストー ション 形状 質量 (g) 適合最大 撮像素子 FZ-S□ FZ-SH□ FH-S□ FH-S□X FZ-S□2M FZ-S□5M3 FH-S□05R FH-S□X05 FHV7X-□ 形3Z4S-LE VS-TCH05-65-O 0.5x 75.3 9.42 3 12.43 0.02% ストレート 70 2/3 インチ...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3453/lineup.html

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G6DN パワーリレー/定格/性能 | オムロン制御機器
...間 空間:3.5mm、沿面:3.6mm 振動 耐久 10~55~10Hz 片振幅2.5mm(複振幅5mm) 誤動作 10~55~10Hz 片振幅0.75mm(複振幅1.5mm) 衝撃 耐久 1,000m/s 2 誤動作 100m/s 2 耐久性 機械的 2,000万回以上(開閉ひん度18,000回/h) 電気的 AC250V 3A(抵抗負荷) 10万回以上 (1.0秒 ON/1.0秒 OFF) DC 30V ...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3457/specification.html

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G3VM-35□G□ / 351VY / 401G□ / 401VY MOS FETリレー SOP4...
...形G3VM-353G 1b(SPST-NC) EN/IEC規格SEMKO認証形 形式 規格 極数または接点構成 ファイルNo. 形G3VM-401G SEMKO認証品 EN62368-1 (Certified) 1a(SPST-NO) SE-S-2001018 情報更新 : 2021/04/12 ページ先頭へ戻る...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3463/specification.html

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G3VM-□J□ MOS FETリレー SOP8ピン 多極接点構成タイプ/定格/性能 | オムロン制...
.../352J/402J:V=0、f=1MHz 形G3VM-355JR:1a:V=0、f=1MHz、1b:V=0、f=1MHz、I F =5mA 形G3VM-354J:V=0、f=1MHz、I F =5mA 入出力間容量 C I-O 標準 0.8 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間容量絶縁抵抗 R I-O 最小 1000 MΩ V I-O =500VDC、R O H≦60% 標準 10 8 動作時間 t ON 標準 0.8 0.6 ― 0.3 ― 0.3 ms I F =...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3464/specification.html

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G3VM-□L / □FL / □GL MOS FETリレー カレントリミットタイプ/定格/性能 |...
... 40 70 pF V=0、f=1MHz リミット電流 I LIM 最小 150 mA I F =5mA、V DD =5V、t=5ms 最大 300 入出力間容量 C I-O 標準 0.8 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間容量絶縁抵抗 R I-O 最小 1000 MΩ V I-O =500VDC、R O H≦60% 標準 10 8 動作時間 t ON 標準 ― 0.3 ms I F =5mA、R L =200Ω、 V DD =20V * 最...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3465/specification.html

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G3VM-61LR / 81LR / 101LR MOS FETリレー SSOP 小型&高電圧タイプ...
... OFF =80V 端子間容量 C OFF 標準 20 5 6 pF V=0、f=100MHz、t<1s 最大 30 7 8 入出力間容量 C I-O 標準 0.3 0.8 0.6 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間容量絶縁抵抗 R I-O 最小 1000 MΩ V I-O =500VDC、R O H≦60% 標準 10 8 動作時間 t ON 標準 0.3 0.1 ms 形G3VM-81LR:I F =10mA R L =...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3466/specification.html

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G3VM-41GR8 / 61GR□ / 61VR MOS FETリレー SOP4ピン 高容量&低オ...
... =30V 形G3VM-61VR/61GR2 :V OFF =60V 最大 1 1000 10 端子間容量 C OFF 標準 300 100 250 pF V=0、f=1MHz 入出力間容量 C I-O 標準 0.8 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間容量絶縁抵抗 R I-O 最小 1000 MΩ V I-O =500VDC、R O H≦60% 標準 10 8 動作時間 t ON 標準 1.2 2 0.7 ms I F =5mA、R L =200Ω、 V ...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3467/specification.html

商品情報
G3VM-41LR□ MOS FETリレー SSOP 低端子間容量&低オン抵抗タイプ (低C×R)/...
... 標準 0.45 1 0.7 5 10 pF V=0、f=100MHz、t<1s 最大 0.8 2 1.3 7 14 入出力間 容量 C I-O 標準 0.3 0.8 0.3 0.8 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間 容量 絶縁抵抗 R I-O 最小 1000 MΩ V I-O =500VDC、 R O H≦60% 標準 10 8 動作時間 t ON 標準 ― 0.05 ― 0.12 0.2 ms I F =5mA、 R L =...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3474/specification.html

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G3VM-□H□ MOS FETリレー SOP6ピン 汎用タイプ/定格/性能 | オムロン制御機器
...) 形G3VM-401H 1a(SPST-NO) EN/IEC規格SEMKO認証形 形式 規格 極数または接点構成 ファイルNo. 形G3VM-401H SEMKO認証品 EN62368-1 (Certified) 1a(SPST-NO) SE-S-2001018 情報更新 : 2021/04/12 ページ先頭へ戻る...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3475/specification.html

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G3VM-□AR□ / □DR□ MOS FETリレー DIP4ピン 高容量&低オン抵抗タイプ/定格...
... =負荷電圧定格値 最大 1 端子間容量 C OFF 標準 300 450 300 250 200 110 pF V=0、f=1MHz 入出力間容量 C I-O 標準 0.8 pF f=1MHz、V S =0V 入出力間容量 絶縁抵抗 R I-O 最小 1000 MΩ V I-O =500VDC、 R O H≦60% 標準 10 8 動作時間 t ON 標準 1 0.6 0.8 0.45 0.8 0.4 0.13 ...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3477/specification.html

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H3Y-□-B ソリッドステート・タイマ/外形寸法 | オムロン制御機器
...レール 形PFP-100N 形PFP-50N *( )は形PFP-50Nの寸法です 支持レール 形PFP-100N2 エンドプレート 形PFP-M スペーサ 形PFP-S 情報更新 : 2023/05/22 ページ先頭へ戻る...

https://www.fa.omron.co.jp/products/family/3482/dimension.html

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